密封用树脂组合物和半导体装置的制作方法

来自 : www.xjishu.com/zhuanli/27/2018 发布时间：2021-03-24

本发明涉及密封用树脂组合物和半导体装置。
背景技术：
：：作为用于提高半导体封装的电特性的技术，有在专利文献1(日本特开2007-161990号公报)中记载的技术。该文献中记载了一种密封用环氧树脂成型材料，其含有环氧树脂、固化剂以及预先将树脂与电阻率在特定范围的着色剂混合而得到的着色剂树脂混合物。根据该文献，该密封用环氧树脂成型材料，流动性、固化性和着色性良好，即使在焊盘之间或导线(wire)之间距离窄的电子部件装置中作为密封用材料使用的情况下，也能够获得电特性优异的电子部件装置。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2007-161990号公报技术实现要素：发明要解决的技术问题在半导体封装中，为了导通芯片与引线框，以往一直使用au导线，但为了降低成本，近年来多采用cu导线。认为cu导线与au导线相比，虽然价格低廉，但是化学稳定性差，会因密封材料中含有的卤素离子、ph、硫系杂质而劣化。尤其，半导体封装的应用范围扩大，在高温环境下的使用也在增加，因此，在高温工作时的由硫系杂质引起的高温保管特性(hightemperaturestoragelife：htsl)的恶化作为使用cu导线时的技术问题被提出。因此，本发明的发明人研究的结果，在使用以往的密封材料的情况下，在如下方面还有改善的余地：即使在应用于含有cu导线的半导体装置的情况下，也可获得所得到的半导体装置的htsl特性优异，并且激光刻印性(激光打标性能)优异的半导体装置。用于解决技术问题的手段根据本发明，可提供一种密封用树脂组合物，其含有以下的成分(a)～(c)：(a)环氧树脂；(b)无机填充材料；和(c)黑色系着色剂，通过利用下述方法测定利用下述制作方法获得的试验片而获得的该密封用树脂组合物的固化物中的s含量，相对于所述固化物整体为10ppm以下。(试样制作方法)利用传递成型机，以模具温度175℃、注入压力7.4mpa、固化时间2分钟成型直径50mm、厚度3mm的成型品，在175℃进行4小时的后固化而获得圆板状的试样。(s含量的测定方法)利用波长分散型荧光x射线分析装置(株式会社岛津制作所制造，xrf-1800)，在管电压40kv、管电流95ma的条件下测定所述试样中的硫浓度。根据本发明，可提供一种通过使用上述本发明的密封用树脂组合物将半导体元件密封而成的半导体装置。发明效果采用本发明，即使在应用于含有cu导线的半导体装置的情况下，也能够获得所得到的半导体装置的htsl特性优异，并且激光刻印性优异的半导体装置。附图说明上述的目的和其他的目的、特征以及优点，通过以下所述的优选实施方式和附随于其的以下附图将会变得更加明确。图1是表示本实施方式的半导体装置的结构的剖视图。具体实施方式以下，使用附图对实施方式进行说明。在所有附图中，对相同的构成要件标注相同的符号，并适当省略说明。图为概略图，不一定与实际的尺寸比例一致。如果没有特别说明，则数值范围“a～b”表示“a以上b以下”。在本实施方式中，密封用树脂组合物含有以下的成分(a)～(c)：(a)环氧树脂；(b)无机填充材料；和(c)黑色系着色剂。而且，通过利用下述方法测定利用下述制作方法获得的试验片而获得的密封用树脂组合物的固化物中的s(硫)的含量，相对于固化物整体为10ppm以下。(试样制作方法)利用传递成型机，以模具温度175℃、注入压力7.4mpa、固化时间2分钟成型直径50mm、厚度3mm的成型品，在175℃进行4小时的后固化而获得圆板状的试样。(s含量的测定方法)利用波长分散型荧光x射线分析装置(株式会社岛津制作所制造，xrf-1800)，在管电压40kv、管电流95ma的条件下测定上述试样中的硫浓度。在本实施方式中，在密封用树脂组合物中组合使用成分(a)～(c)，并且使密封用树脂组合物的固化物中的s含量为上述特定的范围。通过使用该密封用树脂组合物，即使在应用于含有cu导线的半导体装置的情况下，也能够获得htsl特性和激光刻印性优异的半导体装置。以下，对本实施方式的密封用树脂组合物和半导体装置进行进一步详细的说明。密封用树脂组合物例如为颗粒状或片状。作为颗粒状的密封用树脂组合物，具体而言可以举出锭(tablet)状或粉粒体的组合物。其中，在密封用树脂组合物为锭状时，例如能够利用传递成型法成型密封用树脂组合物。在密封用树脂组合物为粉粒体时，例如能够利用压缩成型法成型密封用树脂组合物。在此，密封用树脂组合物为粉粒体，是指为粉末状或颗粒状中的任一种的情况。基材例如为中介层(interposer)等电路板或引线框。半导体元件通过打线接合或倒装芯片接合等与基材电连接。作为通过使用密封用树脂组合物的密封成型对半导体元件进行密封而获得的半导体装置并没有限定，例如可以举出qfp(quadflatpackage；四面扁平封装)、sop(smalloutlinepackage；小外形封装)、bga(ballgridarray；球栅阵列)、csp(chipsizepackage；芯片尺寸封装)、qfn(quadflatnon-leadedpackage；四侧无引脚扁平封装)、son(smalloutlinenon-leadedpackage；小外形无引脚封装)、lf-bga(leadflamebga；引线框球栅阵列)等。在本实施方式中，密封用树脂组合物也能够应用于通过近年来多被应用于这些封装的成型的map(moldarraypackage：模具阵列封装)成型而形成的结构体。在该情况下，可通过使用密封用树脂组合物将搭载在基材上的多个半导体元件一并密封而获得封装。作为上述半导体元件，例如可以举出集成电路、大规模集成电路、晶体管、晶闸管、二极管、固体成像元件等，但并不限定于这些。在本实施方式中，成为密封用树脂组合物的密封对象的半导体元件，是指除了受光元件和发光元件(发光二极管等)等光半导体元件以外的所谓的不伴有光的射入和射出的元件。在本实施方式中，从与cu导线一起使用的情况下也可获得htsl特性和激光刻印性优异的半导体装置的观点出发，密封用树脂组合物的固化物中的s含量相对于上述固化物整体为10ppm以下，优选为9ppm以下，更优选为8.5ppm以下，进一步优选为7.5ppm。上述固化物中的s含量的下限值为0ppm以上，例如可以为检测极限值以上，具体而言可以为1ppm以上。在本实施方式中，从提高固化物的耐热性的观点出发，密封用树脂组合物的固化物的玻璃化转变温度(tg)优选为110℃以上，更优选为115℃以上，进一步优选为125℃以上，更进一步优选为135℃以上。固化物的玻璃化转变温度的上限并无限定，从提高固化物的韧性的观点出发，优选为230℃以下，更优选为200℃以下，进一步优选为180℃以下。在此，固化物的玻璃化转变温度是利用热机械分析(thermalmechanicalanalysis：tma)装置(精工电子公司制造，tma100)在测定温度范围0℃～320℃、升温速度5℃/分钟的条件下测定。玻璃化转变温度的进一步具体的测定方法在后文的实施例项目中叙述。在本实施方式中，密封用树脂组合物含有上述成分(a)～(c)。以下，对密封用树脂组合物的构成成分进行说明。(成分(a)：环氧树脂)在本实施方式中，作为成分(a)的环氧树脂，例如可以举出联苯型环氧树脂；双酚a型环氧树脂、双酚f型环氧树脂、四甲基双酚f型环氧树脂等双酚型环氧树脂；茋型环氧树脂；苯酚酚醛清漆(phenolnovolac)型环氧树脂、甲酚酚醛清漆(cresolnovolac)型环氧树脂等酚醛清漆型环氧树脂；三酚基甲烷型环氧树脂、烷基改性三酚基甲烷型环氧树脂等多官能环氧树脂；具有选自亚苯基骨架和亚联苯基骨架中的1种或2种骨架的苯酚芳烷基型环氧树脂、具有选自亚苯基骨架和亚联苯基骨架中的1种或2种骨架的萘酚芳烷基型环氧树脂等酚芳烷基型环氧树脂；二羟基萘型环氧树脂、将二羟基萘的二聚物进行缩水甘油醚化而获得的环氧树脂等萘酚型环氧树脂；异氰尿酸三缩水甘油酯、单烯丙基二缩水甘油基异氰尿酸酯等含有三嗪核的环氧树脂；二环戊二烯改性苯酚型环氧树脂等桥环状烃化合物改性苯酚型环氧树脂，这些可以单独使用1种，也可以同时使用2种以上。从提高半导体装置的htsl特性和激光刻印性的平衡的观点出发，环氧树脂优选为选自含有亚苯基骨架的苯酚芳烷基型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂和联苯型环氧树脂中的1种或2种以上。从在成型时获得适当的流动性从而实现填充性和成型性的提高的观点出发，在将密封用树脂组合物整体设为100质量％时，密封用树脂组合物中的成分(a)的含量优选为2质量％以上，更优选为3质量％以上，进一步优选为4质量％以上。从使具有使用密封用树脂组合物形成的密封材料的半导体装置的htsl特性提高的观点出发，在将密封用树脂组合物整体设为100质量％时，密封用树脂组合物中的成分(a)的含量优选为40质量％以下，更优选为30质量％以下，进一步优选为15质量％以下，更进一步优选为10质量％以下。(成分(b)：无机填充材料)在本实施方式中，作为成分(b)的无机填充材料，可以使用通常在半导体密封用树脂组合物中使用的无机填充材料。作为无机填充材料的具体例，可以举出熔融二氧化硅、结晶二氧化硅等二氧化硅；氧化铝；滑石；氧化钛；氮化硅；氮化铝。这些无机填充材料可以单独使用1种，也可以同时使用2种以上。这些之中，从通用性优异的观点出发，优选使用二氧化硅，更优选使用熔融二氧化硅。二氧化硅的形状优选为球状。从提高使用密封用树脂组合物形成的密封材料的低吸湿性和低热膨胀性，并更有效地提高所获得的半导体装置的耐湿可靠性和耐回焊性的观点出发，在将密封用树脂组合物整体设为100质量％时，密封用树脂组合物中的成分(b)的含量优选为50质量％以上，更优选为70质量％以上，进一步优选为80质量％以上。从更有效地提高密封用树脂组合物成型时的流动性和填充性的观点出发，在将密封用树脂组合物整体设为100质量％时，密封用树脂组合物中的成分(b)的含量优选为95质量％以下，更优选为93质量％以下，进一步优选为90质量％以下。(成分(c)：黑色系着色剂)作为成分(c)的黑色系着色剂的具体例，可以举出乙炔黑、黑色氧化钛(钛黑)等。在此，黑色氧化钛是以tino(2n-1)(n为正整数)的形态存在。作为在本实施方式中使用的黑色氧化钛tino(2n-1)，优选使用n为4以上6以下的黑色氧化钛。通过使n为4以上，能够提高黑色氧化钛在密封用树脂组合物中的分散性。另一方面，通过使n为6以下，能够提高yag激光等激光的刻印性。在此，作为黑色氧化钛，优选包含ti4o7、ti5o9和ti6o11中的至少一个。更优选黑色氧化钛为ti4o7。从与cu导线一起使用的情况下也可获得htsl特性优异的半导体装置的观点出发，成分(c)优选包含乙炔黑，更优选由乙炔黑构成。从相同的观点出发，并从使成分(c)中不可避免地含有的来自于原料的硫的含量降低从而进一步提高含有cu导线的半导体装置的htsl特性的观点出发，密封用树脂组合物优选实质上不含有炉黑，更优选含有乙炔黑且实质上不含有炉黑。在此，密封用树脂组合物实质上不含有炉黑，是指不在密封用树脂组合物中有意地配合炉黑。从获得优选的密封材料的外观的观点出发，相对于密封用树脂组合物整体，密封用树脂组合物中的乙炔黑的含量优选为0.10质量％以上，更优选为0.20质量％以上。从提高半导体装置的绝缘可靠性的观点出发，相对于密封用树脂组合物整体，密封用树脂组合物中的乙炔黑的含量优选为1.0质量％以下，更优选为0.8质量％以下，进一步优选为0.6质量％以下。从获得优选的密封材料的外观的观点出发，相对于密封用树脂组合物整体，密封用树脂组合物中的成分(c)的含量优选为0.10质量％以上，更优选为0.20质量％以上。从提高半导体装置的绝缘可靠性的观点出发，相对于密封用树脂组合物整体，密封用树脂组合物中的成分(c)的含量优选为1.0质量％以下，更优选为0.8质量％以下，进一步优选为0.6质量％以下。从提高激光刻印性的观点出发，乙炔黑的2次颗粒的平均粒径d50优选为1μm以上，更优选为3μm以上。从提高激光刻印性的观点出发，乙炔黑的2次颗粒的平均粒径d50优选为20μm以下，更优选为10μm以下。在此，乙炔黑的2次颗粒的平均粒径d50可通过激光衍射法测定。在本实施方式中，密封用树脂组合物也可以含有除环氧树脂和无机填充材料以外的成分。例如，密封用树脂组合物还可以含有固化剂。(固化剂)固化剂可以大致分为例如加成聚合型的固化剂、催化剂型的固化剂和缩合型的固化剂这3个类型，可以使用这些中的1种或2种以上。作为加成聚合型的固化剂，例如可列举：多胺化合物，其包含二亚乙基三胺(deta)、三亚乙基四胺(teta)、间苯二甲胺(mxda)等脂肪族多胺，二氨基二苯基甲烷(ddm)、间苯二胺(mpda)、二氨基二苯砜(dds)等芳香族多胺，以及双氰胺(dicy)、有机酸二酰肼等；酸酐，其包含六氢邻苯二甲酸酐(hhpa)、甲基四氢邻苯二甲酸酐(mthpa)等脂环族酸酐和偏苯三酸酐(tma)、均苯四甲酸酐(pmda)、二苯酮四羧酸(btda)等芳香族酸酐等；酚醛清漆型酚醛树脂、聚乙烯基苯酚等酚醛树脂固化剂；多硫化物、硫酯、硫醚等多硫醇化合物；异氰酸酯预聚物、封端异氰酸酯等异氰酸酯化合物；含有羧酸的聚酯树脂等有机酸类等。作为催化剂型的固化剂，例如可列举：苄基二甲基胺(bdma)、2,4,6-三(二甲氨基甲基)苯酚(dmp-30)等叔胺化合物；2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑(emi24)等咪唑化合物；bf3配位化合物等路易斯酸等。作为缩合型的固化剂，例如可列举：酚醛树脂；含有羟甲基的尿素树脂那样的尿素树脂；含有羟甲基的三聚氰胺树脂那样的三聚氰胺树脂等。这些中，从提高耐燃性、耐湿性、电特性、固化性和保存稳定性等的平衡的观点出发，优选酚醛树脂固化剂。作为酚醛树脂固化剂，可以使用在一个分子内具有2个以上的酚性羟基的所有单体、低聚物、聚合物，其分子量、分子结构没有限定。作为用于固化剂的酚醛树脂固化剂，例如可列举：苯酚酚醛清漆树脂、甲酚酚醛清漆树脂、双酚酚醛清漆等酚醛清漆型酚醛树脂；聚乙烯基苯酚；苯酚/羟基苯甲醛树脂、三酚基甲烷型酚醛树脂等多官能型酚醛树脂；萜烯改性酚醛树脂、二环戊二烯改性酚醛树脂等改性酚醛树脂；具有亚苯基骨架和/或亚联苯基骨架的苯酚芳烷基树脂、具有亚苯基和/或亚联苯基骨架的萘酚芳烷基树脂等芳烷基型酚醛树脂；双酚a、双酚f等双酚化合物等，这些可以单独使用1种，也可以同时使用2种以上。这些中，在应用于含有cu导线的半导体装置的情况下，从获得htsl特性和激光刻印性优异的半导体装置的观点出发，更优选使用选自联苯芳烷基型酚醛树脂、酚醛清漆型酚醛树脂和含有亚苯基骨架的苯酚芳烷基树脂中的1种或2种以上。在本实施方式中，作为成分(a)和酚醛树脂固化剂的组合，优选可举出联苯芳烷基型环氧树脂/联苯芳烷基型酚醛树脂的组合、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂/酚醛清漆型酚醛树脂的组合、和联苯型环氧树脂/苯酚芳烷基树脂的组合。在本实施方式中，从成型时实现优异的流动性，从而实现填充性和成型性提高的观点出发，相对于密封用树脂组合物整体，密封用树脂组合物中的固化剂的含量优选为1质量％以上，更优选为2质量％以上，进一步优选为3质量％以上。关于将密封用树脂组合物的固化物作为密封材料的半导体装置，从提高耐湿可靠性和耐回焊性的观点出发，相对于密封用树脂组合物整体，密封用树脂组合物中的固化剂的含量优选为25质量％以下，更优选为15质量％以下，进一步优选为10质量％以下。密封用树脂组合物中可以含有除上述成分以外的成分，例如可以适当配合固化促进剂、偶联剂、脱模剂、离子捕捉剂、低应力成分、阻燃剂和抗氧化剂等各种添加剂中的1种以上。固化促进剂可以包含例如选自有机膦、四取代鏻化合物、磷酸酯甜菜碱化合物、膦化合物与醌化合物的加成物、鏻化合物与硅烷化合物的加成物等含有磷原子的化合物；1,8-二氮杂双环[5.4.0]十一碳烯-7、苄基二甲基胺、2-甲基咪唑等例示的脒或叔胺、上述脒或胺的季盐等含有氮原子的化合物中的1种或2种以上。这些中，从提高固化性的观点出发，更优选包含含有磷原子的化合物。从提高成型性与固化性的平衡的观点出发，更优选为包含四取代鏻化合物、磷酸酯甜菜碱化合物、膦化合物与醌化合物的加成物、鏻化合物与硅烷化合物的加成物等具有潜伏性的化合物。从相同的观点出发，固化促进剂更优选包含三苯基膦。从提高密封用树脂组合物的固化特性的观点出发，相对于密封用树脂组合物整体，密封用树脂组合物中的固化促进剂的含量优选为0.01质量％以上，更优选为0.05质量％以上，并且优选为2.0质量％以下，更优选为1.0质量％以下。偶联剂可以包含例如选自环氧基硅烷、巯基硅烷、苯基氨基硅烷等氨基硅烷、烷基硅烷、脲基硅烷、乙烯基硅烷、甲基丙烯酰基硅烷等各种硅烷系化合物、钛系化合物、铝螫合物类、铝/锆系化合物等公知的偶联剂中的1种或2种以上。这些中，作为更有效地显现本发明的效果的偶联剂，更优选包含环氧基硅烷或氨基硅烷，从流动性等观点出发，进一步优选包含仲氨基硅烷。作为仲氨基硅烷的具体例，可举出n-苯基-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷。从在密封用树脂组合物成型时获得优选的流动性的观点出发，相对于密封用树脂组合物整体，密封用树脂组合物中的偶联剂的含量优选为0.01质量％以上，更优选为0.05质量％以上，并且优选为2.0质量％以下，更优选为1.0质量％以下。脱模剂可以包含例如选自巴西棕榈蜡等天然蜡；氧化聚乙烯蜡、褐煤酸酯蜡等合成蜡；硬脂酸锌等高级脂肪酸及其金属盐类；以及石蜡中的1种或2种以上。从获得固化物优选的脱模特性的观点出发，相对于密封用树脂组合物整体，密封用树脂组合物中的脱模剂的含量优选为0.01质量％以上，更优选为0.05质量％以上，并且优选为2.0质量％以下，更优选为1.0质量％以下。离子捕捉剂例如包含水滑石。从提高半导体装置的可靠性的观点出发，相对于密封用树脂组合物整体，密封用树脂组合物中的离子捕捉剂的含量优选为0.03质量％以上，更优选为0.05质量％以上，并且优选为2.0质量％以下，更优选为1.0质量％以下。作为低应力成分，例如可以举出硅油、硅橡胶、羧基末端的丁二烯丙烯腈橡胶。从提高半导体装置的连接可靠性的观点出发，相对于密封用树脂组合物整体，密封用树脂组合物中的低应力成分的含量优选为0.01质量％以上，更优选为0.02质量％以上，并且优选为2.0质量％以下，更优选为1.0质量％以下。阻燃剂可以包含例如选自氢氧化铝、氢氧化镁、硼酸锌、钼酸锌、磷腈中的1种或2种以上。抗氧化剂包含例如选自受阻酚(hinderedphenol)系化合物、受阻胺系化合物和硫醚系化合物中的1种或2种以上。(密封用树脂组合物的制造方法)接着，对密封用树脂组合物的制造方法进行说明。在本实施方式中，密封用树脂组合物例如可以通过如下方法获得：将上述的各成分使用公知的装置进行混合，进而使用辊、捏合机或挤出机等混炼机进行熔融混炼，在冷却之后进行粉碎。根据需要，可以在上述方法中在粉碎后压锭成型为锭状而获得颗粒状密封用树脂组合物。也可以在上述方法中在粉碎后例如通过真空压合成型或压缩成型而获得片状密封用树脂组合物。可以对所获得的密封用树脂组合物，适当调整分散度和流动性等。在本实施方式中，通过对密封用树脂组合物中含有的成分和配合(含量)进行调整，能够获得固化物中的s含量在上述特定范围的密封用树脂组合物。在本实施方式中获得的密封用树脂组合物含有成分(a)～(c)，并且固化物中的s含量在特定的范围，因此，通过使用该密封用树脂组合物，即使在与cu导线组合使用的情况下，也能够获得htsl特性优异，并且激光刻印性优异的半导体装置。(半导体装置)本实施方式的半导体装置是通过使用上述本实施方式的密封用树脂组合物将半导体元件密封而成的。图1是表示本实施方式的半导体装置100的一个例子的剖视图。在此，基材30例如为引线框。本实施方式的半导体装置100包括：半导体元件20；与半导体元件20连接的接合导线40；和密封部件50，该密封部件50由上述密封用树脂组合物的固化物构成。更具体而言，半导体元件20经由芯片粘接(dieattach)材10固定在基材30上，半导体装置100具有从设置于半导体元件20上的电极焊盘22经由接合导线40连接的外部导线34。接合导线40可以根据所使用的半导体元件20设定，例如可以使用cu导线。半导体元件20可以经由芯片粘接材10固定于基材30所具有的芯片焊盘32上。在本实施方式中，密封部件50由上述密封用树脂组合物的固化物构成。因此，在半导体装置100中，即使在接合导线40由含有cu的材料构成的情况下，也能够获得优异的htsl特性，并且半导体装置100的yag激光等激光的刻印性优异。密封部件50例如可通过如下方式形成：利用传递成型法或压缩成型法等公知的方法将密封用树脂组合物密封成型。在密封部件50的上表面，例如可通过yag激光等激光而刻印标记。该标记例如由以直线或曲线构成的文字、数字或记号中的至少1种以上构成。上述标记例如表示半导体封装的产品名、产品编号、批次编号或厂商名等。上述标记例如也可以通过yvo4激光、碳酸激光等来刻印(打标)。上面，对本发明的实施方式进行了说明，但是这些为本发明的例示，也可以采用上述以外的各种方案。[实施例]下面，参照实施例和比较例对本实施方式进行详细说明。本实施方式并不受这些实施例记载的任何限定。(实施例1～5、比较例1～4)(密封用树脂组合物的制备)对于各实施例和各比较例，分别以如下方式制备密封用树脂组合物。首先，将表1所示的各成分用混合机混合。接着，将所获得的混合物进行辊混炼之后，冷却、粉碎而获得作为粉粒体的密封用树脂组合物。表1中的各成分的详细情况如下所述。表1中所示的各成分的配合比例表示相对于树脂组合物整体的配合比例(质量份)。(原料)填充材料1：熔融球状二氧化硅(电化株式会社制造，fb-950fc，平均粒径d50＝22μm)填充材料2：合成球状二氧化硅(株式会社admatechs制造，so-e2，平均粒径d50＝0.5μm)着色剂1：炭黑(三菱化学株式会社制造，ma-600)着色剂2：炭黑(三菱化学株式会社制造，carbon#5)着色剂3：黑色氧化钛(ti4o7，体积电阻率＝7.3×104ω·cm)着色剂4：乙炔黑(电化株式会社制造，li-100，2次颗粒的平均粒径d50＝8μm)着色剂5：乙炔黑(电化株式会社制造，li-400，2次颗粒的平均粒径d50＝5μm)偶联剂：n-苯基-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷(道康宁东丽公司制造，cf-4083)环氧树脂1：含有亚苯基骨架的苯酚芳烷基型环氧树脂(日本化药株式会社制造，nc-3000)环氧树脂2：邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂(新日铁住金化学株式会社制造，ydcn-800-70)环氧树脂3：联苯型环氧树脂(三菱化学株式会社制造，yx4000hk)固化剂1：联苯芳烷基型酚醛树脂(日本化药株式会社制造，gph-65)固化剂2：酚醛清漆型酚醛树脂(住友电木株式会社制造，pr-hf-3)固化剂3：含有亚苯基骨架的苯酚芳烷基树脂(三井化学株式会社制造，xlc-4l)固化促进剂：三苯基膦(tpp)脱模剂1：巴西棕榈蜡(nikkorica公司制造，nikkocarnauba)脱模剂2：氧化聚乙烯蜡(科莱恩化工(clariantchemicals)公司制造，ricowaxped522)离子捕捉剂：水滑石(协和化学工业株式会社制造，dht-4h)低应力剂1：具有聚亚烷基醚基、甲基等的硅油(道康宁东丽公司制造，fz-3730)低应力剂2：羧基末端的丁二烯丙烯腈橡胶(宇部兴产株式会社制造，ctbn1008sp)(评价)对在各例中获得的密封用树脂组合物或其固化物，进行了以下的评价。将评价结果汇总示于表1。(s量：荧光x射线概算(ppm))对在各例中获得的密封用树脂组合物，利用传递成型机，以模具温度175℃、注入压力7.4mpa、固化时间2分钟成型直径50mm、厚度3mm的成型品，在175℃进行4小时的后固化而获得圆板状的试样。利用波长分散型荧光x射线分析装置(株式会社岛津制作所制造，xrf-1800)，用x射线(管电压40kv、管电流95ma的条件)扫描试样的表面，测定荧光x射线强度。利用由s量(1～50ppm)已知的标准试样制作的s量与荧光x射线强度的校准曲线来计算试样中的硫浓度。(tg(℃))玻璃化转变温度：将低压传递成型机(上泷精机株式会社制造，kts-30)转用于嵌入成型，在模具温度175℃、注入压力9.8mpa、固化时间2分钟的条件下，将固定用树脂组合物注入成型，获得4mm×4mm×15mm的试验片。将所获得的试验片在175℃进行4小时的后固化之后，利用热机械分析装置(精工电子株式会社制造，tma100)，根据在测定温度范围0℃至320℃的温度区域以升温速度5℃/分钟测定时的图表，确定在玻璃化转变温度以下的区域的线膨胀系数(α1)和相当于橡胶状区域的线膨胀系数(α2)。此时，将α1和α2的延长线的交点作为玻璃化转变温度(单位为℃)。(刻印性)利用传递成型机，以模具温度175℃、注入压力7.4mpa、固化时间2分钟成型直径50mm、厚度3mm的成型品，在175℃进行4小时的后固化而获得圆板状的试样。利用日本电气株式会社制造的掩模型yag激光刻印机(激光打标机)(施加电压2.4kv、脉冲宽度120μs、15a、30khz、300mm/sec的条件)在圆板上刻印(打标)。将评价基准示于以下。ok：与比较例1同等或其以上的视认性(视觉辨认性)ng：与比较例1相比，视认性差(色调)由1名评价者目视评价在各例中用于刻印性评价的试样的色调。将评价基准示于以下。ok：与比较例1相比，具有同等的黑色的色调△：与比较例1相比，色调接近于其他颜色ng：与比较例1相比，黑色淡，且进一步接近于其他颜色将上述“ok”和“△”评价为合格。(htsl：200℃、1500h)[半导体装置的制作]对实施例1～5、比较例1～4，分别以如下方式制作半导体装置。首先，将具有铝制电极焊盘的teg(testelementgroup：测试元件组)芯片(3.5mm×3.5mm)搭载在表面被ag镀覆的引线框的芯片焊盘部上。接着，使用由cu99.9％的金属材料构成的接合导线，以导线间距120μm，对teg芯片的电极焊盘(下面也简称为“电极焊盘”)和引线框的外部导线部进行打线接合。对由此获得的结构体，利用低压传递成型机，在模具温度175℃、注入压力10.0mpa、固化时间2分钟的条件下使用密封用树脂组合物进行密封成型，制作出半导体封装。之后，将所获得的半导体封装在175℃、4小时的条件下进行后固化，获得半导体装置。[高温保管特性]对所获得的半导体装置，进行基于以下方法的htsl(高温保管试验)。将各半导体装置在温度200℃、1500小时的条件下保管。对保管后的半导体装置，测定导线与电极焊盘之间的电阻值。将各半导体装置的平均值相对于初始电阻值的平均值显示小于110％的电阻值的半导体装置评价为ok，将显示110％以上电阻值的半导体装置评价为ng。本申请以2017年10月16日申请的日本申请特愿2017-200110号为基础主张优先权，将其全部公开内容援用于此。当前第1页1 2 3 当前第1页1 2 3